日前，由中科院长春光机所任首席单位，中科院物理所、半导体所、福建物构所、上海光机所和中国科技大学共同承担的中国科学院知识创新工程重要方向项目“ZnO基材料、器件的相关物理问题研究” 在北京通过验收。
　　据了解，ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下能带宽度为3.37eV，并具有高达60meV激子束缚能。
　　基于ZnO潜在的应用前景，2006年，中科院基础科学局集合长春光机所等全院ZnO研究方面的优势团队，组织了这一重要方向项目，重点针对ZnO研究存在的p型掺杂、高质量单晶薄膜、单晶衬底等瓶颈问题，从基本物理问题入手开展深入研究。
　　此外，团队的科研成果还有：发明了精确控制Mg束流的方法及抑制相分离的模板法，生长出带隙可控的MgZnO薄膜，研制出MgZnO基全日盲紫外探测原型器件；采用水热法生长出大尺寸、低位错密度的无色ZnO单晶；通过第一性原理的计算，系统研究了ZnO受主杂质的电离能和稳定性，提出了ZnO实现p型掺杂的实验方法。

来源：科学时报